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(国联基金)国家存储器基地项目二期开工 有望带动投资(附股)

6月20日,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工。该项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,一期项目规划产能每月10万片,二

国联基金)国家存储器基地项目二期开工 有望带动投资(附股)

6月20日,长江仓储公司实施的国家仓储基地二期工程(土建工程)在武汉东湖高新区开工。该项目计划分两个阶段建设3D与非门闪存芯片工厂,第一阶段计划生产能力为每月10万个芯片,第二阶段计划生产20万个芯片,总价值为30+240亿美元。该项目第一阶段将于2016年底开始建设。32层和64层存储芯片产品现已实现稳定批量生产,世界上第一个128层QLC 3D闪存芯片已成功开发。

华创证券指出,内存是信息系统的基础核心芯片,最能代表集成电路行业的规模经济和先进制造技术,也是中国进口的最大集成电路产品金额。近年来,内存、固态硬盘和显卡的价格一直在不断上涨。根本原因是内存芯片掌握在少数外国制造商手中。本地化将降低国内半导体产品的成本,增加上游设备公司的订单。

北华创的蚀刻设备、PVD设备和清洗设备已由长江仓储提前订购。

精密测量电子公司中标长江存储集成光学薄膜厚度临界尺寸测量仪。

新来英开生产的超净管道阀门是半导体设备和厂房中不可缺少的“血管”。

其他公司:太极工业和中卫公司。

(国联基金)国家存储器基地项目二期开工 有望带动投资(附股)

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